彭红玲
\t副研究员 博士学位出生年月
1972-02-28
民族
汉族
最高学位
博士学位
职称
\t副研究员
毕业院校
中国科学院半导体研究所
所学专业
微电子学与固体物理
工作单位
中国科学院半导体研究所
工作常住地
专家简介
主要研究领域包括高响应探测器、太阳电池、激光器等半导体器件，在半导体探测器方面进行了较深入的研究，包括RCE PD，Si APD，InGaAs/Si APD等，应用于光通信、激光雷达、红外探测等领域。作为项目负责人承担战略性国际科技创新合作重点专项APD阵列研制，目前在研，目标是获得较大阵列的高灵敏度APD阵列。 从事过GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）和谐振腔增强型探测器（RCE-PD）的研究，实现高速单模InGaAs QW ELD和高速1064nm RCE PD。参与973项目子课题“低温晶片键合及准单片光电子集成技术的创新与基础研究”，负责其中键合的通信用长波长段的InGaAs/Si APD(雪崩光电二极管)研制，制备出一定增益的键合InGaAs/Si APD。承担科学院的能源技术支撑项目“基于晶片键合技术的多结太阳能高效电池的研究”，制备出效率超过24%的键合三结太阳电池。参与973项目及863、重点基金多项，发表文章及专利多篇。
成果情况
1. [论文成果] A promising low noise and high gain InGaAs/Si avalanche photodiode ( 第一位 AOPC 2020 Proc. SPIE. 11564 EI 2020-11-30 )\n2. [论文成果] The research of InSb on Si avalanche photodiode ( 第一位 AOPC 2019: Optoelectronic Devices and Integration; and Terahertz Technology and Applications. Proc. SPIE. 11334 EI 2019-07-07 )\n3. [论文成果] The development of high sensitivity silicon avalanche photodiode array ( 第一位 AOPC 2017: Optoelectronics and Micro/Nano-Optics Proc. SPIE. 10460 EI 2017-06-04 )\n4. [论文成果] 直接键合的三结太阳能电池研究 ( 第一位 《物理学报》Acta Phys. Sin. DOI:10.7498/aps.63.178801 Vol. 63, No. 17 (2014) 178801 1.018 SCI 2014-05-01 )\n5. [项目成果] 高响应度APD阵列研制 ( *.* 第一位 科技部 国家级 2024-07-31\n6. [项目成果] 高速发端调制研究 ( XDB24010200 第一位 中科院 国家级 2021-05-31\n7. [专利成果] 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 ( 第二位 ZL201810408181.x 发明专利 2021-09-14 )\n8. [专利成果] 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法 ( 第二位 ZL201810408182.4 发明专利 2020-10-20 )\n9. [专利成果] 一种中红外波段调制器及其制备方法 ( 第二位 ZL201910121018.X 发明专利 2020-09-15 )\n10. [专利成果] 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 ( 第二位 ZL201010595707.3 发明专利 2012-04-25 )\n11. [专利成果] 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 ( 第一位 ZL201010595700.1 发明专利 2012-07-25 )\n12. [专利成果] 半导体激光器驱动电路 ( 第二位 ZL201310155864.6 发明专利 2015-08-19 )\n13. [专利成果] InSb晶片与Si晶片键合的方法 ( 第二位 201310109012.3 发明专利 2015-10-21 )