林靖杰
\t工程师 \t博士学位出生年月
\t1989-07-18
民族
\t汉族
最高学位
\t博士学位
职称
\t工程师
毕业院校
电子科技大学
所学专业
微电子学与固体电子学
工作单位
国科微电子股份有限公司
工作常住地
专家简介
美国电气与电子工程师协会（IEEE）会员，日本电子与通信协会（IEICE）会员，Microelectronics Reliability等SCI期刊审稿人，电子科技大学电子科学与工程学院企业导师。硕士、博士期间师从中科院院士、IEEE Fellow、CoolmosTM发明人陈星弼教授。研究领域包含数字芯片设计与验证、半导体器件、智能功率集成电路设计、集成电路制造、微波集成电路、半导体市场与专利。目前工作为存储芯片产品的开发。 2008-2012，本科，电子科技大学，电子科学与工程学院； 2012-2020，硕士、博士，电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室； 2020年加入国科微电子，历经PCIE 4.0 SSD主控芯片、嵌入式eMMC 5.0、UFS 3.1系统芯片的开发工作。
成果情况
1. [论文成果] Study on SrTiO3 film for the application of power devices ( 第一位 Superlattices and Microstructures 10.1016/j.spmi.2019.04.033 3.2 SCI 2019-04-01 )\n2. [论文成果] Study on conductivity degradation of high-k VDMOS caused by ferroelectricity ( 第一位 2019 IEEE Electrical Power and Energy Conference (EPEC) 10.1109/EPEC47565.2019.9074821 EI 2019-10-15 )\n3. [论文成果] A novel snapback-free reverse-conducting (RC) SOI-LIGBT with a built-in thyristor ( 第一位 IEICE Electronics Express 10.1587/elex.16.20190626 0.8 SCI 2019-12-31 )\n4. [论文成果] Lateral power fin MOSFET with a high-k passivation for ultra-low on-resistance ( 第二位 IEEE Access 10.1109/ACCESS.2020.2980042 5 SCI 2020-03-08 )\n5. [论文成果] Potential of utilizing high-k film to improve the cost performance of trench LDMOS ( 第三位 IEEE Transactions on Electron Devices 10.1109/TED.2019.2913780 3.2 SCI 2019-07-01 )\n6. [论文成果] Simulation study on the high-k SJ-VDMOS with gradient side-wall ( 第三位 41st International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics 10.23919MIPRO.2018.8400012 EI 2018-05-25 )\n7. [项目成果] 利用双极载流子的功率器件中电特性及可靠性的研究及其原创性改进 ( 51237001 第三位 国家自然科学基金重点项目 国家级 2017-12-31\n8. [项目成果] 新型优化变电通量横向耐压技术的机理、结构与关键材料的研究 ( 61604030 第二位 国家自然科学基金 国家级 2019-12-31\n9. [项目成果] 高压横向HK器件的研究与设计 ( 201411030202 第一位 中央高校基本科研业务基金 国家级 2017-12-31\n10. [项目成果] PCIE4.0 SSD控制器开发与量产 ( 2020 第三位 国科微电子 其他企业横向项目 2021-12-31\n11. [项目成果] 基于RISK-V平台的SATA接口存储控制芯片开发项目 ( WalkerS 第三位 芯盛智能科技股份有限公司 其他企业横向项目 2023-12-30\n12. [专利成果] 一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件 ( 第二位 CN202010041774.4 发明专利 2021-01-01 )\n13. [专利成果] 一种具有钛酸锶膜的槽型横向耐压区 ( 第三位 CN201811384147.X 发明专利 )\n