唐供宾
教授 博士学位出生年月
1987-11-27
民族
汉族
最高学位
博士学位
职称
教授
毕业院校
日本千叶大学
所学专业
电子信息
工作单位
山东大学
工作常住地
专家简介
唐供宾毕业于上海交通大学和日本千叶大学，获得双博士学位。毕业后加入国际射频三巨头之一的Skyworks公司从事高性能声波器件的研究，负责创建滤波器通用设计、分析平台，完成或完善了耦合模模型、分层级联算法等，并基于该平台成功设计了一系列低插损、良好温度稳定性的射频声波滤波器产品，获得思佳讯2018到2020年度的“天空之星”荣誉。现任山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台教授、山东大学齐鲁青年学者。其长期致力于声表面波理论与技术，高性能压电薄膜层状结构声表面波滤波器的研究。已发表SCI论文15篇，已授权日本发明专利1项，美国发明专利9项。
成果情况
1. [论文成果] Validity Evaluation of ScxAl1-xN Material Constants Based on SAW Characteristics ( 第一位 Journal of Micromechanics and Microengineering doi:10.1088/0960-1317/26/11/115002 1.6 2016-10-01 )\n2. [论文成果] Model parameter extraction for obliquely propagating surface acoustic waves in infinitely long grating structures ( 第一位 Japanese Journal of Applied Physics http://doi.org/10.7567/JJAP.55.07KD08 1.5 2016-06-10 )\n3. [论文成果] Modeling and Suppression Method for Guided Mode in TC-SAW Devices ( 第一位 2019 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) 10.1109/ULTSYM.2019.8925671 1.6 2019-12-09 )\n4. [论文成果] Thin plate model for transverse mode analysis of surface acoustic wave devices ( 第一位 Japanese Journal of Applied Physics http://doi.org/10.7567/JJAP.55.07KD09 1.5 2016-06-10 )\n5. [论文成果] Enhancement of effective electromechanical coupling factor by mass loading in layered surface acoustic wave device structures ( 第一位 Japanese Journal of Applied Physics http://doi.org/10.7567/JJAP.55.07KD07 1.6 2016-06-10 )\n6. [项目成果] 6英寸光学级铌酸锂晶体技术研究项目 ( 2580021005 第二位 华为 其他企业横向项目 2023-05-30\n7. [项目成果] 声表面波滤波器联合研发 ( 2580022001 第二位 深圳新声半导体有限公司 其他企业横向项目 2022-06-17\n8. [项目成果] 基于单晶压电异质衬底结构的5G射频前端用声表面波滤波器高性能化关键基础问题研究 ( ZR2021QF111 第一位 山东省科技厅 省、部级 2024-12-31\n9. [专利成果] Piston mode lamb wave resonators ( 第三位 US20190074813A1 发明专利 2019-03-07 )\n10. [专利成果] Multi-layer piezoelectric substrate with heat dissipation ( 第三位 US20190357381A1 发明专利 2019-12-21 )\n11. [专利成果] Acoustic wave device with spinel layer ( 第三位 US20190379347A1 发明专利 2019-12-12 )\n12. [专利成果] Acoustic wave device with spinel layer and temperature compensation layer ( 第一位 US20190379348A1 发明专利 2019-12-12 )\n13. [专利成果] Acoustic wave resonator with rotated and tilted interdigital transducer electrode ( 第一位 US20210050842A1 发明专利 2021-02-18 )\n14. [专利成果] Multilayer piezoelectric substrate ( 第三位 US20210058057A1 发明专利 2021-02-25 )\n15. [专利成果] Surface acoustic wave device ( 第一位 US20210152154A1 发明专利 2021-05-20 )\n16. [专利成果] Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode ( 第二位 US20210159886A1 发明专利 2021-05-27 )