渠红伟
研究员 博士学位出生年月
1977-07-21
民族
汉族
最高学位
博士学位
职称
研究员
毕业院校
北京工业大学
所学专业
微电子学与固体电子学
工作单位
潍坊先进光电芯片研究院
工作常住地
专家简介
渠红伟，女，研究员，博士生导师，2006年北京工业大学微电子学固体电子学专业获博士学位，2006-2008年在中国科学院半导体研究所做博士后，后留所工作。主要研究领域有半导体激光芯片与模块、垂直腔面发射激光器、窄线宽激光器、可调谐激光器和半导体光电集成芯片等。作为课题负责人先后承担国家重点研发计划、中科院先导项目、“863”计划、青年基金、院创新基金、所前沿项目和博士后基金项目等十多项，并作为课题骨干参加“973”计划、“863”计划、重点基金项目等十几项。发表SCI论文50多篇，授权专利30多项，获国家技术发明二等奖1项（排名第二）、中国光学工程学会科技创新技术一等奖1项（排名第二）、中国专利金奖1项（排名第三），JD科学技术奖（排名第三），中国光学重要成果奖（排名第二）和北京市科学技术二等奖1项（排名第三）。国家科技奖励专家库专家，人工晶体学报审稿人。
成果情况
1. [论文成果] High power tapered lasers with optimized photonic crystal structure for low divergence and high efficiency ( 第二位 CHIN. PHYS. LETT. DOI: 10.1088/0256-307X/36/8/084201 2019,36(8) 084201-1-10 1.483 SCI 2019-03-20 )\n2. [论文成果] High power tapered lasers with optimized photonic crystal structure for low divergence and high efficiency ( 第二位 Semiconductor Science and Technology, DOI:10.1088/1361-6641/aab141 0268-1242/ 2018,33(4): 045010-1-6 2.352 SCI 2018-03-19 )\n3. [论文成果] Photonic crystal diode laser array integrated with a phase shifte ( 第二位 IEEE Photon. Technol. Lett. DOI: 10.1109/LPT.2018.2857459 2018,30(18) 1645-1648, 2.468 SCI 2018-09-15 )\n4. [论文成果] RF plasma enhanced reactive magnetron sputtering deposition of α-SiNx on photonic crystal - laser diode for facet passivation ( 第二位 ACS Omega DOI: 10.1021/acsomega.9b02452 2019,4(23), 20205−20211 3.512 SCI 2019-11-18 )\n5. [论文成果] Angled-cavity lasers with photonic-crystal structure and high-order surface gratings ( 第二位 Semicond. Sci. Technol. DOI:10.1088/1361-6641/32/1/01LT01 2017,32 01LT01-1-7 2.352 SCI 2017-01-05 )\n6. [论文成果] Analysis of thermal characteristics of microchannel-cooled photonic crystal laser diode bars ( 通讯作者 Proc. SPIE doi: 10.1117/12.2643947 2022，12311，123110B EI 2022-12-27 )\n7. [论文成果] Study of thermal characteristics of high-power photonic crystal laser diodes with CS-mount package ( 通讯作者 Proc. SPIE doi: 10.1117/12.2643844 2022，12311，1231109 EI 2022-12-27 )\n8. [论文成果] Wet oxidation and its influence on high performance five-junction 940 nm VCSELs ( 通讯作者 Proc. SPIE doi: 10.1117/12.2643843 2022，12311，123110O EI 2022-12-27 )\n9. [论文成果] High Slope Efficiency Double and Triple Junction 808 nm Vertical Cavity Surface Emitting Lasers ( 第一位 IEEE Photonics Technology Letters 10.1109/LPT.2023.3261550. 2023,vol. 35, no. 10, pp. 533-536 2.468 SCI 2023-03-15 )\n10. [项目成果] 高光束质量光子晶体激光泵源 ( 2016YFB0402203 第一位 科技部 国家级 2019-06-30\n11. [项目成果] 高功率直调激光器阵列研究和制备 ( XDB24030100 第一位 中国科学院 省、部级 2021-06-30\n12. [项目成果] 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器研究 ( 61404133 第一位 国家自然基金委 国家级 2017-12-31\n13. [项目成果] 微推光源技术 ( XXXX 第一位 中国科学院 省、部级 2018-12-31\n14. [项目成果] 高功率激光芯片 ( XXXX 第二位 中国科学院 省、部级 2022-12-31\n15. [项目成果] 面发射激光器 ( XXXX 第一位 JKW 省、部级 2025-10-31\n16. [科研奖励成果] 低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用 ( 技术发明奖 第二位 国家级 二等奖 2017-12-06 )\n17. [科研奖励成果] 低发散角半导体光子晶体激光器技术 ( 科技创新奖 第二位 省、部级 一等奖 2017-06-05 )\n18. [科研奖励成果] 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 ( 中国专利金奖 第三位 省、部级 特等奖 2018-12-01 )\n19. [科研奖励成果] XXXX激光芯片原理及应用 ( 科技进步奖 第三位 省、部级 一等奖 2020-12-25 )\n20. [专利成果] 基于光子晶体激光阵列的微推进器光源 ( 第二位 ZL201910524087.5 发明专利 2020-10-30 )\n21. [专利成果] 准三维光子晶体窄线宽激光器 ( 第三位 ZL201510590526.4 发明专利 2018-08-10 )\n22. [专利成果] 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 ( 第三位 ZL.201510388711.5 发明专利 2017-10-24 )\n23. [专利成果] 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构 ( 第三位 ZL201910534116.6 发明专利 2021-02-02 )\n24. [专利成果] 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 ( 第二位 ZL201310096102.3 发明专利 2015-06-10 )\n25. [专利成果] 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 ( 第一位 ZL201310157583.4， 发明专利 2015-06-24 )\n26. [专利成果] 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 ( 第一位 ZL201310095986.0 发明专利 2015-02-11 )\n27. [专利成果] 一种高功率半导体激光器单管双面微通道液体冷却封装结构 ( 第一位 202210673409.4 发明专利 2022-06-15 )\n28. [专利成果] 一种半导体激光器阵列结构 ( 第一位 202211177581.7 发明专利 )\n29. [专利成果] 多隧道结倒装表面浮雕结构的垂直腔面发射激光器阵列 ( 第一位 202211143176.3 发明专利 )